代码 | 名称 | 当前价 | 涨跌幅 | 最高价 | 最低价 | 成交量(万) |
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中信证券研报指出 ,2025二季度主流存储与利基DRAM涨价,预计二季度主要存储厂商收入环比增长,存储模组厂迎来盈利拐点;预计2025三季度存储价格有望维持环增态势。1)DDR4内存条涨价逻辑下 ,重点推荐存储芯片设计厂商;此外,建议关注存储模组分销商,模组厂商 。2)部分DDR4价格大涨后超过DDR5价格 ,叠加原厂逐步退出DDR4,认为DDR5渗透率有望加快提升。
全文如下存储|DDR4涨幅超预期,预计涨势将延续至Q3(2025年6月)
25Q2主流存储与利基DRAM涨价 ,我们预计Q2主要存储厂商收入环比增长,存储模组厂迎来盈利拐点;预计25Q3存储价格有望维持环增态势。
▍价格回顾(Bloomberg,CFM闪存市场)
DRAM:DDR5温和上涨,DDR4受原厂加速减产影响涨幅超预期 。1)DDR5:5月现货环比+2% ,6月至今低个位数涨幅。颗粒现货和合约价格保持温和上涨,4-5月DDR5 8Gb合约价上涨约2%,DDR5 16Gb现货价上涨约7%。2)DDR4:5月现货环比+9%~+37% ,6月至今涨幅达17%~37% 。海外大厂聚焦高利润率的DDR5、HBM,压缩DDR3/DDR4供给,TrendForce预计最后出货时间为2026年初。25Q2 ,随着原厂加速退出DDR4供应 、下游紧急拉货,5月DDR4 8/16Gb颗粒现货价格平均涨幅超30%。
NAND Flash:原厂减产效果已显现,价格温和上涨 。5月NAND Flash(Wafer) TLC价格环比涨幅低个位数 ,6月至今价格基本保持稳定。海外大厂自2024年12月以来陆续公告减产10%~15%,同时加快将产能向200层以上产品迁移,进而减少低价产品的供应量 ,3月TLC价格转涨(涨幅6%~14%)、SSD同步上涨,行业供需在25Q1加速平衡。需求方面,北美CSP厂商持续投入,带动企业级SSD需求持续提升。进入5月 ,TLC价格温和上涨,6月价格基本稳定 。
模组:DDR5内存条、SSD 、移动存储价格相对稳定,DDR4内存条大幅上涨。1)内存条:5-6月DDR5合约价格环比持平 ,现货价格高个位数上涨;DDR4行业、渠道市场价格上涨20%~64%。2)SSD:5-6月行业、渠道市场价格小幅回落(-3%~0%) 。3)移动存储:消费市场需求整体稳定,5-6月UFS 、eMMC价格温和上涨(0%~14%)。
▍价格展望:预计25Q3 DDR5、NAND温和上涨,DDR4涨幅8%~13%。
1)对于DRAM ,我们预计在企业级需求旺盛、消费电子旺季下DDR5价格有望保持温和上涨,DDR4在供给确定持续收缩的背景下,预期性的备货需求有望推动价格在三季度继续上涨;TrendForce预测 ,25Q3 DDR4 PC/Server内存模组合约价格将分别上涨18%~23%/8%~13% 。
2)对于NAND Flash,我们预计在原厂减产效果下,NAND价格有望保持温和上涨;根据TrendForce ,25Q2/Q3 NAND Flash Wafer价格分别上涨3%~8%/5%~10%。
3)利基存储,我们预计25Q3 SLC NAND Flash价格有望实现双位数上涨,NOR Flash价格保持平稳。
▍风险因素:
国际宏观政治经济波动;下游需求走弱;面板价格提升不及预期;行业竞争激烈;技术革新风险等;国际贸易摩擦风险;海外潜在关税风险 。
▍投资建议:
25Q2主流存储与利基DRAM涨价,我们预计Q2主要存储厂商收入环比增长 ,存储模组厂迎来盈利拐点;预计25Q3存储价格有望维持环增态势。1)DDR4内存条涨价逻辑下,我们重点推荐存储芯片设计厂商;此外,我们建议关注存储模组分销商 ,模组厂商。2)部分DDR4价格大涨后超过DDR5价格,叠加原厂逐步退出DDR4,我们认为DDR5渗透率有望加快提升 。
(文章来源:财联社)
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